锐成芯微亮相2022世界集成电路大会,讲述嵌入式非易失性存储IP应用成果

来源:集微网 | 编辑: 界小娟 2022-11-24 15:42

  2022年11月16日-18日,由工业和信息化部、安徽省人民政府主办的2022世界集成电路大会在安徽合肥举行。本次大会的举办旨在进一步加强全球集成电路产业链供应链交流合作,展示集成电路产业最新技术成果,提升我国集成电路产业的创新能力和全球影响力。大会以合作共赢为主基调,为全球集成电路产业搭建合作交流平台。

  锐成芯微亮相本次大会,公司存储研发总监王明博士在大会发表题为“嵌入式非易失性存储IP在5G、汽车电子领域的应用”的主题演讲。演讲中,王明博士以嵌入式非易失性存储IP在5G和汽车电子领域中的技术标准、研发思路作为切入点,研讨当下存储IP的开发思路和成果,并介绍了锐成芯微相关应用领域的产品及案例。

王明博士演讲 图片来源:2022世界集成电路大会

  在5G应用领域,电源管理芯片类、PLL时钟芯片类、相控阵波束成形芯片类、PA/LNA芯片类等应用中,对于上电时序、温度校准系数、各通道增益与偏差、ADC精度和范围都有较高要求;在汽车电子领域,电源管理、电机驱动、传感器、照明等各类芯片,对存储电压/电流输出配置信息、存储频率/相位误差系数、存储各通道增益与偏差、存储ADC偏差系数等,都有车规级的要求标准,这些标准包含存储IP的擦写次数、读取速度、保存能力等。

  锐成芯微一直在嵌入式存储IP领域深耕,针对不同应用已经陆续开发了LogicFlash®系列、LogicFlash Pro®系列、LogicFuse®、SuperMTP®系列等IP产品,可以很好的满足5G和汽车电子领域的严苛标准。

王明博士演讲 图片来源:2022世界集成电路大会

  LogicFlash®是锐成芯微自主开发的MTP系列产品。LogicFlash®能够实现单颗IP上同时实现代码存储和数据存储的多次可擦写功能。它不仅有逻辑工艺/BCD工艺/HV工艺的兼容性,又具备相似于eFlash的优良特性,而且无需增加或仅增加1层额外光罩层次。LogicFlash®还支持字节擦除、扇区擦除或整片擦除,而且擦除时间短,其可重复编程、擦除次数超过1万次。

  LogicFlash Pro®是锐成芯微自主研发的新一代eFlash技术,该技术基于BCD工艺实现,具有更少的光罩层次,集成工艺简单,工艺兼容性强,流片周期短等优点。目前已在国内晶圆大厂合作验证成功并导入客户项目。作为完全自主开发的eFlash技术,有助于推进国产化技术路线演进,为代工厂和芯片设计公司,带来了更多的选择。

  LogicFuse®是锐成芯微推出的OTP技术,延续了MTP的架构,对存储单元上做了优化,其面积相对于MTP可以减小30%。该技术已在不同工艺平台上导入了客户项目。

  SuperMTP®技术是锐成芯微面向汽车电子的一次拓展。它是具有更高可靠性的MTP方案,在设计中也增加了很多功能安全相关的安全机制,比如纠错码,在测试中严格按照AEC-Q100测试标准,可以达到Grade 1,甚至Grade 0的要求,已被许多车规级电源管理芯片、信号调理芯片、编码器芯片所采用。

  除了提供全面的eNVM IP技术,近10年来锐成芯微立足低功耗技术,面向物联网市场,逐步发展和构建完成以超低功耗模拟及数模混合IP、高可靠性嵌入式存储IP、高性能无线射频通信IP及有线连接接口IP为主的产品格局,累计开发IP 600多项,服务了全球数百家集成电路设计企业。

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