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再掀闪存热 英特尔发布三款PCIe闪存卡

2014年06月28日 17:52:12 | 作者:蔡思萌 | 来源:it168网站 | 查看本文手机版

摘要:据国外媒体报道,英特尔公司已经完成了三款采用NVMe标准的高速PCIe闪存卡的生产,此举恐将掀起PCIe闪存产品的又一轮高潮。

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闪存
PCI-E
PCIe-SSD

据国外媒体报道,英特尔公司已经完成了三款采用NVMe标准的高速PCIe闪存卡的生产,此举恐将掀起PCIe闪存产品的又一轮高潮。

再掀闪存热 英特尔发布三款PCIe闪存卡

2TB+2.8GB/s 英特尔14年SSD线路图曝光

▲英特尔DC P3700系列

NVMe是非易失性存储中的一种数据存取标准,它的出现意味着主机操作系统只需要配备单一标准驱动程序、而不再必须为每一种受支持的PCIe闪存卡提供特殊的驱动程序。SATA Express接口也是NVMe的实现形式之一。

2TB+2.8GB/s 英特尔14年SSD线路图曝光

▲英特尔2014年SSD路线图

目前英特尔已发布了三款NVMe产品:DC P3700、P3600以及P3500。关于英特尔2014年SSD方面的线路图,可参考笔者之前的报道:2TB+2.8GB/s 英特尔14年SSD线路图曝光

在容量方面,最高可达2TB,随机读取IOPS可以达到46万。具体速度及其它性能参数如下图:

再掀闪存热 英特尔发布三款PCIe闪存卡

▲英特尔DC P3n00 PCIeNVMe闪存卡速度与读写能力

这三款SSD新品均采用了PCIe 3.0 x4(相当于每秒4GB传输能力)接口,由英特尔20纳米MLC闪存芯片构成。另外,它们还配备了18条通道的英特尔控制器,有限质保期为五年。在耐擦写性能方面:

· DC P3700可写入36.5 PB 数据,每天可写满驱动器全盘十次

· DC P3600可写入10.95 PB 数据,每天可写满驱动器全盘三次

· DC P3500可写入1PB 数据,每天可写满驱动器全盘0.3次

总的来说,这三款闪存产品在速度与读写能力方面表现不凡。

价格方面,英特尔三款产品的售价如下:400GB容量的P3700为1207美元,400GB容量的P3600为783美元,而400GB容量的P3500为599美元。

AnandTech网站也发布了一份关于英特尔全新DC P3n00 NVMe闪存卡的评测报告,可供参考:http://www.anandtech.com/show/8104/intel-ssd-dc-p3700-review-the-PCIe-SSD-transition-begins-with-nvme。

不过,英特尔这三款闪存新秀与其它同类PCIe闪存卡,如Fusion-io、美光、三星、希捷/Avago/LSI以及东芝的产品相比,性能对比结果是怎样的呢?

三星(XS17150)与美光(P520 PCIe)现在都拥有采用NVMe标准的产品(+本站微信networkworldweixin),TheRegister网站曾在去年七月的一篇文章中将它们与一款HGST产品进行过兼容性测试。

再掀闪存热 英特尔发布三款PCIe闪存卡

▲NVMe性能图表(仅选取随机读取IOPS进行比较)

他们选择了随机读取IOPS作为比较项目,但目前全球只有两家制造商实际生产NVMe卡,分别是英特尔与三星。因此之后还加入了美光、LSI以及Fusion-io的PCIe闪存卡产品、希望能在一定程度上作出比较。所有闪存卡的容量都在1.4TB以上。

其中,美光的P420M闪存卡传输速度最快,随机读取达到了75万IOPS;三星XS1715的随机读取IOPS为74万,英特尔的三款NVMe产品则位居探花之位。最后是已被希捷收购的LSI闪存业务中的XP6210和Fusion-io的ioScale,两者表现明显与前面几位差出了一大截。美光P420M的表现也证明,NVMe机制对于闪存卡的读取响应速度而言并不是必要的提升手段。

据了解,美光现正着力打造其P520M NVMe闪存卡。如果属于非NVMe产品的P420M都能在现有比拼中胜出,那么其研发的新品很可能突破上代产品的最高性能纪录。

[责任编辑:存储 chai_shasha@cnw.com.cn]