近日，据半导体行业人士透露，三星电子、SK海力士等韩国本土存储半导体企业正在推动HBM专用线的扩张。两家公司计划在明年年底前投资超过2万亿韩元，使HBM生产线目前的产能增加一倍以上。SK海力士计划利用利川现有HBM生产基地后的清州工厂的闲置空间。三星电子正在考虑扩大位于忠清南道天安市的HBM核心生产线。
HBM与其他DRAM最大的差别是拥有超高带宽。内存带宽是处理器从内存读取数据或将数据存储到内存的速率，过去20年，硬件的峰值计算能力增加了90000倍，但是内存/硬件互连带宽却只提高了30倍。HBM采用硅通孔（TSV）技术将DRAM裸片垂直堆叠并和GPU封装在一起，可以提供更快的并行数据处理速度，因此成为高性能GPU的核心组件。目前最新的HBM3的带宽最高可以达到819 GB/s，而最新的GDDR6的带宽最高只有96GB/s，CPU和硬件处理单元的常用的DDR4的带宽更是只有HBM的1/10。
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