据报道，三星选择暂停其P1 NAND闪存生产线的某些部分，特别是专门用于V6 NAND闪存芯片制造的部分。
此V6名称表示第六代NAND技术，以其128层单元堆叠排列而闻名。NAND技术的发展见证了垂直单元堆叠的增加，完善了存储能力和性能指标。
三星电子正在考虑暂时停止P1 NAND生产线的特定部分。中断预计将持续一个月至今年下半年。该决定主要影响位于韩国的P1生产线平泽段，该生产线专门生产旧一代存储芯片。
这一战略决策的动力来自两个方面的考虑。首先，对个人电脑的需求明显下降，这反过来又影响了对固态硬盘的需求。第二，三星电子的目标是通过这次运营改造来优化成本。根据上述出版物韩国部分的消息来源，平泽工厂主要从事V6 NAND的生产。这种128层V6 NAND虽然先进，但更先进的176层和236层NAND技术已经成功。作为参考，三星的980 Pro固态硬盘型号采用了V6 V-NAND。
目前预计停产时间约为一个月，根据情况分析，可能会延期。将生产重新启动到最大产能并不是立即的，这意味着芯片制造业将长期处于闲置状态。与此同时，据称三星电子已决定减少其在主要NAND制造地点的晶圆投入，包括韩国的平泽、华城和中国的西安生产线。业内分析人士估计，这一策略将导致NAND总产量下降约10%。
由于这些运营变化，三星电子NAND产品系列中的老一代V6 NAND生产线受到了明显的影响。该公司现在专注于更新的176层V7和236层V8 NAND闪存技术。值得注意的是，去年年底推出的V8 NAND是三星电子NAND系列的最新发展。
