半导体分析公司TechInsights近日发布报告显示，长江存储已成功开发并量产232层NAND闪存，缩短与存储器龙头三星电子及SK海力士的差距。
NAND是一种即使断电也能保存数据的记忆半导体，需要先进的叠层技术，由于叠层会影响数据容量的多寡，为NAND竞争关键。
韩国媒体BusinessKorea在30日引述TechInsights报告指出，今年7月推出的1TB消费级固态硬盘（SSD）致钛600商品中，发现长江存储生产的232层4层单元（QLC）3D NAND内存。 对比其他厂商，三星电子虽未对外透露相关数据，但市场传闻其NAND最高堆叠层数为236层，而SK海力士NAND为238层，意味着长江存储可能开始缩小与韩企的差距。
不过，TechInsights报告对长江存储的3D NAND，是否完全以中国设备或组件生产并无着墨。
南华早报4月曾报道，长江存储去年以其旗舰232层X3-9070 3D NAND快闪芯片试图挑战内存芯片龙头三星电子、SK海力士与美光科技，但能否量产该款芯片成为疑问。
报道指出，长江存储计划使用国产设备生产先进的3D NAND。 这些国内供应商包括北方华创科技集团，相关计划已取得进展。
另有业界人士表示，长江存储升级原有Xtacking结构，最新4.0架构性能将与其他NAND原厂200层以上产品性能表现相当。
