硅智财（IP）供应商M31宣布，7纳米制程闪存接口ONFI-v5.1 I/O IP已完成硅验证，支持最高速达3.2GB/s，同时内部已着手开发5纳米ONFI 5.1IP与3纳米ONFI 6.0 IP，并且已获美国一线大厂采用，积极布局人工智能与边缘运算应用的大数据存储市场。
近年来固态硬盘正在取代传统机械硬盘成为主流的存储媒介，SSD的存取速度更快、容量更大，体积小巧还可以降低系统成本，并在人工智能、边缘运算、云计算等应用技术跃进的催化下，海量数据的存储与交互需求，更使SSD发展迎来全新的高算力时代。 主控芯片与闪存芯片为SSD的核心，为大幅度提高数据存储和传输的效率，现行主流SSD皆采用PCIe Gen4接口，更者，高端SSD也开始使用PCIe Gen5接口，整体接口传输速度的大幅提升，使相应的ONFI接口速度表现成为存储芯片的关键性要素。
M31遵循国际开放式NAND闪存接口的接口规范，紧跟速度推升趋势与最新先进制程技术，密切开发由ONFI 5.0的2.4GB/s提升到ONFI 6.0的4.8GB/s的带宽技术，并提供制程节点由55纳米至3纳米全面性的ONFI硅智财解决方案，满足市场对于高性能、 高可靠性及低成本储存的芯片设计需求，并依客户需求定制所需要的功能。 凭借M31丰沛的研发实力与扎实的客户合作经验，M31不仅仅提供单一I/O，也针对高速高效能ONFI I/O所产生数据总线上的负载和损耗问题，M31更能进一步提供包含序列排序规划，缓冲器规划，基板绕线建议等帮助客户成功设计的完整解决方案。
