全球最大的两家存储器芯片制造商三星电子和SK海力士预计，随着DRAM价格上涨和整个存储器市场的快速扩张，明年将实现可观的芯片利润。
分析师表示，这两家韩国芯片制造商的半导体业务在今年大部分时间里亏损如滚雪球，2024年的总营业利润可能超过20万亿韩元（154亿美元）。
根据世界半导体贸易统计数据（WSTS），预计明年全球存储器市场将增至1298亿美元，比今年的896亿美元增长45%。这将标志着存储器行业三年来的首次增长。
WSTS表示，包括存储芯片在内的整个半导体市场预计将在2024年同比增长13.1%，达到5884亿美元。
DRAM芯片价格的上涨推动了行业乐观前景。
众所周知，三星是收入最高的存储芯片制造商，第四季度向智能手机客户供应的移动DRAM芯片价格比早些时候的合同价格上涨了25-28%。
三星的合约移动DRAM价格高于市场跟踪机构TrendForce公布的第四季度13-18%的涨幅。
DRAMeXchange的数据显示，最常见的DRAM产品之一DDR4 8Gb PC的11月合同价格为1.55美元，比上月上涨3.3%。10月份，此类芯片的价格环比上涨15.4%，这是自2021年7月以来的首次大幅上涨。
三巨头减产结果丰硕
DRAM价格的上涨得益于行业领导者的减产，尤其是三星、SK海力士和美光科技三巨头从去年第四季度开始的减产。
市场领导者三星此前一直坚持不减产，今年4月加入了行业同行的行列，这给市场带来了宽慰，并引发了人们对三星此举将促进早期复苏的希望。
自4月以来，三星一直在削减芯片产量，削减DDR4 DRAM和128层NAND闪存等传统芯片的晶圆投入。
本月早些时候，该公司表示，将继续削减DRAM芯片的产量，至少到今年年底，因为它谨慎地判断增加供应的正确时机。
随着存储器市场的回归，三星、SK海力士预计2024年利润会很高。
在保持目前DRAM芯片产量削减的同时，人们普遍预计三星将增加其对高带宽存储器（HBM）DRAM等先进芯片的产量和投资，其价格高达商品化DRAM芯片的10倍。
三星的同城竞争对手SK海力士也在积极加大对HBM系列DRAM芯片的投资，以保持其在HBM领域的领先地位。
知情人士表示，SK已为明年预留了10万亿韩元的设施投资，比今年预计的6万亿-7万亿韩元的资本支出增长了43-67%。
HBM系列DRAM的需求越来越大，因为这种芯片为在高性能计算系统上运行的人工智能设备供电。
SK海力士高管表示，在7月至9月期间连续第四个季度亏损，但他们预计在人工智能芯片的推动下，DRAM即将迎来转机。
HBM和其他图形DRAM占SK海力士第三季度9万亿韩元销售额的五分之一。
根据TrendForce的数据，预计到2027年，全球HBM市场将从今年的39亿美元增长到89亿美元。
随着最近DRAM的整体价格上涨，SK海力士有望在明年实现盈利。
市场普遍认为SK海力士2024年的营业利润为8.46万亿韩元，而今年的营业亏损预计为8.38万亿韩元。
生产智能手机和家用电器等其他科技设备的三星电子的芯片业务亏损从第二季度的4.36万亿韩元和第一季度的4.6万亿韩元收窄至约3.9万亿韩元。
根据市场共识，负责监管其半导体业务的三星设备解决方案（DS）部门预计2024年将实现14万亿-15万亿韩元的营业利润，比今年预计的13万亿-15万亿韩圆的亏损有所好转。
