据TheElec报道，三星正在考虑在其即将推出的一代动态随机存取存储器(DRAM)中引入填充成型(MUF)技术。此举标志着三星探索创新技术，以提高其内存解决方案的性能和效率。SK海力士之前在高带宽存储器(HBM)生产中使用的MUF技术为三星未来的DRAM事业提供了广阔的前景。
MUF技术涉及在半导体层中钻出许多小孔后在半导体之间注入材料。该工艺旨在安全地连接多个垂直堆叠的半导体。三星最近对3D堆叠存储器的MR MUF工艺进行的测试显示，与热压非导电膜(TC NCF)等传统方法相比，吞吐量有所提高。然而，也有关于其对物理特性的影响的考虑。
虽然三星发现由于特定的要求，MUF不适合HBM技术，但它在3DS注册的双列直插存储器模块(RDIMM)中看到了潜在的应用，主要用于服务器环境。这一决定与三星致力于推进服务器DRAM存储器技术以满足不断发展的行业需求相一致。
MUF在SK海力士HBM生产方面的成功引起了半导体行业的关注。这种环氧树脂模塑化合物被认为提供了诸如防止晶片翘曲和增强整体性能的优点。三星寻求与三星SDI合作开发自己的MUF化合物，这表明三星采取了一项战略举措，以建立符合其要求的专有解决方案。
三星对MUF技术的潜在采用对半导体市场具有重要意义。作为世界领先的存储半导体公司，三星对MUF的支持可能会促进其作为主流技术的广泛接受和采用。这一发展有可能重塑半导体材料市场格局，推动行业的重大变革。
