根据 Semiconductor Engineering 的一份报告，三星电子已将目光投向成为新兴 3D DRAM 内存领域的领跑者。这一声明是在 Memcon 2024 会议上发布的，突显了该公司在行业向更小的芯片尺寸发展的过程中解决传统内存设计局限性的战略举措。
随着DRAM线宽预计在本世纪后半叶降至 10 纳米以下，当前的内存架构已接近其扩展极限。这刺激了对 3D DRAM 等创新解决方案的探索，该解决方案有望在容量和占地面积减少方面带来显着优势。
在 Memcon 2024 上，三星展示了 3D DRAM 的两项关键技术：垂直通道晶体管和堆叠式 DRAM。垂直沟道晶体管代表了晶体管设计的根本转变。通过将电流通道从水平转向垂直，三星旨在显着减少晶体管的占地面积。然而，这种方法在蚀刻过程中也要求更高的精度。
另一方面，堆叠式 DRAM 则注重空间利用率的最大化。与仅利用水平面的传统 2D DRAM 不同，堆叠式 DRAM 利用垂直尺寸(z 轴)在单个芯片内堆叠多层存储单元。这种创新方法有可能将单芯片容量提高到 100GB 以上，与当前的限制相比，这是一个巨大的飞跃。
3D DRAM 技术的这些发展是三星长期路线图的一部分，旨在增强各种应用的内存功能，包括数据中心、消费电子产品以及人工智能和 5G 网络等新兴技术。
预计到 2028 年，3D DRAM 市场将达到惊人的 1000 亿美元。为了巩固在这场竞争中的领先地位，三星已采取积极措施，于今年早些时候在硅谷建立了专门的 3D DRAM 研究实验室。这一战略举措使他们能够吸引顶尖人才并加速研发工作。三星还在探索 MUF 技术来制造用于服务器的下一代 DRAM。
三星在 3D DRAM 领域的野心标志着存储器技术新时代的重大推动。如果成功，这项创新将为未来几年更强大、更紧凑的电子设备铺平道路。随着其他主要内存制造商竞相追赶，这一领域的竞争肯定会加剧。然而，凭借领先地位和对研究的承诺，三星似乎已做好准备，在 3D DRAM 革命中夺得桂冠。
