根据集邦科技(TrendForce)指出，AI晶片相关产品带动高频宽记忆体(HBM)单机搭载容量扩大，因产能有限，第二季就开始提早进行2025年的HBM议价，供应商已初步调涨5~10%，预估2024年HBM占DRAM总产值将达逾20%，2025年占比有机会超过30%，较今年的8%成长逾一到二倍以上。
集邦科技资深研究副总经理吴雅婷表示，受惠于HBM销售单价较传统型DRAM高出数倍，相较DDR5价差更大约达五倍，加上AI晶片相关产品转换到新世代，相关产品搭载容量扩大，估到2024年、2025年占DRAM总产值的比重将逐年攀升。
吴雅婷指出，今年第二季开始，已针对2025年HBM进入议价，不过受限于DRAM总产能有限，为避免产能排挤效应，供应商已经初步调涨5~10%，包含HBM2e，HBM3与HBM3e。
供应商议价时间提早于第二季发生有3大原因：
1、HBM买方对于AI需求展望仍具高度信心，愿意接受价格续涨。
2、HBM3e的TSV良率目前仅约40~60%，仍有待提升，加上并非三大原厂都已通过HBM3e的客户验证，HBM买方也愿意接受涨价，以锁定品质稳定的货源。
3、未来HBM每Gb单价可能因DRAM供应商的可靠度，以及供应能力产生价差，对于供应商而言，未来平均销售单价将会因此出现差异，并进一步影响获利。
展望2025年，由主要AI解决方案供应商的角度来看，HBM规格需求大幅转向HBM3e，且将会有更多12hi的产品出现，带动单晶片搭载HBM的容量提升。根据TrendForce预估，2024年的HBM需求位元年成长率近200%，2025年可望将再翻倍。
