据韩媒报道，三星电子近期已开始为下一代1c nm制程DRAM量产采购相关设备。这些设备来自泛林集团等主要半导体设备制造商，预计将在明年2月引入生产线，为1c nm制程的正式量产铺平道路。
虽然三星尚未正式官宣1c nm制程DRAM的消息，但业内透露这一技术目前已进入试产阶段，并成功获得首批良品晶粒（Good Die）。作为三星最新的第六代10nm级制程，1c nm DRAM的首条量产线将落地于位于韩国京畿道的平泽P4工厂。
初期投资有限，良率优化为核心
尽管启动了设备采购，三星在1c nm量产初期的投资规模较为谨慎。据业内人士分析，这是因为新工艺在量产阶段的良率仍需进一步优化和稳定。在达到足够成熟度之前，三星不会大规模增加投入。
通过这种“稳步推进”的方式，三星意在确保技术的可靠性和市场竞争力，同时降低初期大规模量产可能带来的经济与技术风险。
瞄准HBM市场，1c nm成关键棋子
此前市场消息显示，三星已决定在下一代高带宽存储（HBM4）中应用1c nm制程DRAM。HBM作为性能要求极高的存储解决方案，主要用于人工智能、超算等领域，其性能和功耗表现直接与制程工艺挂钩。因此，1c nm制程的成功与否将直接影响三星在HBM市场上的竞争地位。
目前，HBM市场竞争异常激烈，SK海力士凭借先进的技术和较高的良率占据领先地位。三星则寄希望于1c nm制程能够帮助其追赶甚至超越SK海力士，从而在这一快速增长的高端市场中赢得更多份额。
