据韩国媒体《朝鲜日报》报道，全球三大DRAM制造商之一的美光科技正积极推进其16-Hi HBM3E(高带宽存储)内存的研发，目前已进入最终设备评估阶段，并计划在2025年内实现量产。这一消息表明，美光正式加入了这一高端存储市场的竞争，与SK海力士和三星电子正面较量。
HBM3E内存是目前高性能计算、人工智能训练以及数据密集型任务中不可或缺的关键组件。该技术通过堆叠多层存储芯片，显著提升了数据带宽和性能，同时降低了延迟和功耗。在这一领域，SK海力士和三星电子早已抢占先机。2024年11月，SK海力士率先发布了48GB容量的16-Hi HBM3E产品，并宣布相比12-Hi的32GB版本，其AI训练性能提升了18%，推理性能更是改进了32%。与此同时，三星电子也在2024年实现了16-Hi HBM3E的量产，进一步巩固了其在高端存储市场的地位。
作为后来者的美光，此次通过16-Hi HBM3E内存的推出，目标是在这一细分市场中占据更大的份额。美光曾公开表示，其目标是将HBM市场份额从此前不足10%的低个位数比例提升至20%，与其在整体DRAM市场的占有率相匹配。为了实现这一目标，美光正在全球范围内扩大其生产能力。今年年初，美光宣布在新加坡动工建设一座专注于HBM内存的先进封装工厂，该工厂计划在2026年投产。此举不仅彰显了美光在HBM领域的野心，也表明其将进一步加强在高端存储领域的全球布局。
美光的加入为16-Hi HBM3E市场增添了更多竞争的动力。尽管SK海力士和三星在这一领域已经确立了领先地位，但美光通过技术研发和产能扩张，试图在这一快速增长的市场中分一杯羹。据市场分析，随着人工智能、大数据和高性能计算的需求不断增长，高带宽存储的市场规模将迎来爆发性增长，而16-Hi HBM3E内存的竞争也将更加激烈。
