据韩国媒体MT(MoneyToday)最新报道，SK海力士已成功完成内存行业最先进的1c纳米制程DRAM批量产品认证，连续多个以25块晶圆为单位的生产批次在质量和良率方面均达到了标准。这标志着SK海力士在全球内存市场上的技术进步，预计将于2024年2月初正式启动1c纳米DRAM的量产。
SK海力士在2024年8月宣布成功开发了1c纳米工艺的16Gb DDR5-8000 DRAM内存，这一突破让其在内存技术领域再度领先。相较于传统的内存开发周期，SK海力士从研发到量产的周期仅为半年，符合DRAM内存行业的一般量产时间表。这意味着，SK海力士不仅在技术研发上取得了重大进展，也将在量产上保持较快的节奏，抢占市场先机。
1c纳米制程是目前内存行业的最前沿技术之一，相较于前代的工艺，1c纳米工艺能够提供更高的密度、更快的传输速度和更低的功耗。这一技术的成功量产，将为各种应用场景提供更强大的内存支持，特别是在AI、大数据、云计算等高负载领域的需求下，1c纳米制程的DRAM将大大提升系统的性能。
值得注意的是，SK海力士的主要竞争对手三星电子和美光目前尚未正式宣布其第六代10纳米级DRAM内存的计划，这使得SK海力士在这一最新制程节点上占据了明显的先发优势。由于三星和美光的技术尚未进入量产阶段，SK海力士有望在这一市场中抢占更多份额，为自己赢得更多的商业机会。
SK海力士还表示，1c纳米工艺技术将不仅限于DDR5内存，它将被应用到新一代的HBM(高带宽内存)、LPDDR6(低功耗双数据速率内存)和GDDR7(图形存储器)等最先进的DRAM主力产品。这一技术的广泛应用将进一步巩固SK海力士在全球内存市场中的领导地位。
