近日，DigiTimes发布的博文引起了广泛关注，报道中提到三星电子否认了有关其重新设计第五代10nm级DRAM(1b DRAM)的传闻。该消息来源此前曾称，三星正在为应对12nm级DRAM内存产品面临的性能和良率问题，计划在2024年底之前改进现有1b nm工艺，并从头开始设计新版1b DRAM。
此消息一出，业界对三星的反应产生了浓厚兴趣。三星目前在全球DRAM领域的领导地位不容小觑，但面对来自竞争对手SK海力士和美光的压力，其在DRAM领域的技术进展和市场表现却未能达到行业预期。SK海力士和美光早已在HBM领域成功采用1b DRAM技术，而三星则依然使用较早期的1a DRAM。这一技术差距成为业内人士分析三星可能需要调整其策略的一个关键因素。
据悉，三星针对这一挑战已经启动了名为“D1b-p”的研发项目，“p”代表“prime”，意在强调其卓越品质。该项目的核心目标是提升DRAM产品的电源效率和散热性能，这无疑是为了增强在高端市场中的竞争力。尽管如此，三星否认了有关重新设计1b DRAM的报道，认为这些信息并不准确，并未就此事给出具体的回应或计划。
尽管如此，业内人士指出，三星仍然面临巨大的竞争压力。SK海力士在2024年8月率先完成了1c DRAM的开发，进一步缩小了与三星的技术差距。美光也在LPDDR5X内存芯片的供应方面取得了重要进展。根据传闻，三星的新款Galaxy S25系列智能手机将采用美光的移动DRAM，而非自家生产的1b LPDDR5X。这一变化被认为与三星在1b DRAM的良率和散热问题上未能取得突破性进展有关。
尽管三星已否认了相关报道，但业内普遍认为，三星的目标仍然是提升现有1b DRAM的性能和良率。传闻显示，三星正在进行一系列工艺调整，以解决当前在DRAM领域面临的一些技术瓶颈。这些调整不仅涉及复杂的工艺改进，还意味着较高的成本投入。为此，三星已紧急订购了相关设备，并计划在2024年底前完成安装与测试，预计更新后的1b DRAM将在2025年第二或第三季度开始量产。
