在不久的将来，数据存储技术的最新标准UltraRAM可能会开始生产。它在可靠性、耐用性以及速度方面都超过了普通闪存。Liliputing门户网站报道称，其创建者已经成立了一家独立的Quinas Technology初创公司，目前正在与芯片制造商进行谈判，这意味着这项技术的商业化可能不远了。
UltraRAM是由英国兰卡斯特大学的工程师开发的。它是一种依赖能量的存储器，就像前面提到的闪存驱动器一样，它的创建者保证，它本身能够存储信息长达1000年。同时，UltraRAM也比普通SSD快，即使在预算型号中，其速度最近也越来越超过1 GB/s。UltraRAM的创建者认为，它可以以与动态随机存取存储器（DRAM）相同的速度工作，甚至更快，同时功耗更低。
该技术于2020年初推出。从这一刻起的大约三年半时间里，开发人员一直在努力将这项技术商业化。
闪存峰会结束后，UltraRAM引起了全世界的关注。在那里，Quinas Technology获得最具创新性闪存初创企业最佳表演奖。
什么是UltraRAM？
UltraRAM，类似于NAND，是一种半导体存储器。量子机械共振隧穿用于存储其中的信息。通过使电子穿过势垒来改变存储单元的状态是非常快速且能量非常小的。砷化铟和铝锑被用作半导体材料，它们使产生强大的能垒（约2.1 eV）成为可能，这防止了来自存储器单元的电子损失。这为UltraRAM提供了能量依赖性。
UltraRAM于2020年1月底开始亮相，其开发人员随后在科学期刊《IEEE电子设备汇刊》上发表了一篇文章，只透露了一些细节。例如，提到UltraRAM消耗的能量是传统DRAM的100倍。
