三星在2023年存储器技术日活动中推出Shinebolt HBM3E存储器。三星HBM3E内存是对当前HBM3内存的升级，并为内存带宽和速度提供了新的基准。它旨在与高端处理器和GPU一起用于服务器和高端计算。该公司还公布了有关GDDR7 VRAM、LPDDR5X CAMM内存和可拆卸AutoSSD开发的更多信息。
三星Shinebolt HBM3E DRAM存储器设计用于数据中心，用于人工智能模型训练和其他一些高性能应用。它提供每引脚9.8Gbps的数据传输速度，这意味着它可以达到高达1.2TBps的传输速率。三星优化了其NCF（非导电膜）技术，以消除芯片层之间的间隙，从而提高导热性。
三星正在使用其第四代基于EUV的10nm级（14nm）节点制造其24GBit HBM存储管芯。使用其8Hi和12Hi堆栈，该公司可以生产24GB和36GB的容量，提供比HBM3内存高50%的容量。该公司正在宣传最低8Gbps/pin，提供单个HBM3E堆栈，最小带宽为1TB/秒，最大带宽为1.225TB/秒，高于竞争对手的美光和SK海力士。
该公司的HBM3E存储器目前正处于采样阶段，正在送往客户进行测试，这些存储器芯片的大规模生产将于2024年开始。
三星还宣布，将为HBM4存储器使用更先进的芯片制造和封装技术。虽然HBM4规格甚至还没有得到批准，但据透露，该行业正在寻求使用更宽的（2048位）内存接口。该公司希望使用FinFET晶体管而不是平面晶体管来降低功耗。
这家韩国存储芯片制造商希望从微凸点接合转向无凸点（直接铜对铜）接合进行封装。这项技术相对较新，即使在逻辑芯片制造中也是如此，因此HBM4可能过于昂贵。
几个月前，三星透露已完成GDDR7内存的初步开发。GDDR7使用PMA3信令，提供按周期传输的1.5位。该公司将开始交付16Gbit（2GB）模块，其运行速度最高可达32Gbps/引脚，比GDDR6内存提高了33%。
它可以通过256位内存总线提供1TB/s的传输速度。由于额外的时钟控制，这种新型存储器在活动和待机状态下提高了电源效率。三星预计将在2024年成为第一家开始发货GDDR7存储芯片的公司。然而，确切的时间框架尚未公布。
在2023年内存技术日活动中，三星还透露，它可能是第一个推出PB级固态硬盘（PBSSD）的公司。几天前，它宣布了一种适用于笔记本电脑和个人电脑的LPDDR5X DRAM的新外形：LPCAMM存储芯片。这种新的紧凑但可拆卸的DRAM外形使笔记本电脑和PC市场能够提供更紧凑的设备，其中DRAM没有焊接。因此，用户可以移除和升级CAMM2 DRAM模块。
对于专门的设备AI工作负载，该公司还展示了LLW2 DRAM。三星还推出了9.6Gbps LPDDR5X DRAM芯片和下一代UFS（通用闪存）芯片。该公司还推出了用于PC的高容量QLC（四电平单元）SSD BM9C1。
对于汽车应用，三星宣布推出可拆卸AutoSSD，其数据传输速度高达6500Mbps，存储容量高达4TB。由于它是可拆卸的，汽车制造商可以改变汽车的配置。这家韩国公司还展示了汽车级高带宽GDDR7VRAM和LPDDR5XDRAM存储芯片。
三星电子总裁兼存储器业务负责人Jung Bae Lee表示，“超大规模人工智能的新时代将行业带到了创新和机遇交汇的十字路口，尽管面临挑战，但这是一个有潜力实现巨大飞跃的时代。通过无尽的想象力和不懈的毅力，我们将继续保持市场领先地位，推动创新，并与客户和合作伙伴合作，提供扩大可能性。“
