众所周知，慧荣科技正准备推出SM2508 PCIe 5.0 SSD控制器，为最好的SSD供电。该公司在深圳举行的2023年记忆趋势研讨会上分享了SM2508的更多信息。
之前的路线图显示，SM2508将采用12nm的制造工艺制造。慧荣科技已正式确认，即将推出的PCIe 5.0 SSD控制器利用了台积电的6nm EUV制造工艺。SM2508位于比竞争对手更先进的工艺节点上，例如12nm工艺节点上的PS5026-E26和Innogrit IG5666 PCIe 5.0 SSD控制器。与12nm工艺节点相比，6nm工艺节点的功率降低了45%，逻辑单元面积比7nm工艺节点减少了20%。
SM2508采用基于Arm的处理器，具有四个高达1.25 GHz的Cortex-R8内核和一个Cortex-M0内核。该配置提供了性能和功耗之间的平衡。它与Phison E26形成对比，后者采用双CPU设计，Cortex-R5内核与Phison的CoXProcessor 2.0加速器相结合。尽管如此，Silicon Motion的材料提到在SM2508上使用智能PMC（电源管理控制器）来评估和管理电源，这样就不会把家务事放在Arm芯片上。
与大多数PCIe 5.0 SSD控制器一样，SM2508采用八通道设计，支持高达3600 MT/s的DRAM速度，超越了最高2400 MT/s的Phison E26。它同时支持TLC和QLC NAND闪存芯片。Silicon Motion表示，SM2508的顺序读取和写入速度分别高达14.5 GB/s和14 GB/s。该公司似乎优化了SM2508的顺序读取性能，因为之前有报道称其仅达到14 GB/s。随机读写性能最高可达到250万IOPS。相比之下，Phison E26与美光备受追捧的B58R 2400 MT/s NAND相比，已达到14GB/s的峰值。
虽然SM2508在纸面上是超快的，但PCIe 5.0 SSD控制器最大的吸引力是其超低功耗——Silicon Motion声称SM2508的功耗小于3.5W。然而，问题是制造商没有具体说明该值是否对应于SM2508空闲、平均或峰值功耗。相比之下，Phison E26的功率约为5W，这意味着SM2508的功耗似乎减少了30%。基于SM2508的SSD可能不需要与Phison E26驱动的驱动器相同级别的主动冷却，这是合理的。然而，当SSD可用时，我们需要测试前者，因为SSD控制器的功耗只是一个方面，因为您仍然需要考虑3D NAND和DRAM的功耗。
SM2508听起来很不错，但我们应该等待评论后再下结论，因为现实世界的性能并不总是与纸面上的一样。SM2508计划在今年年底前推出，因此我们不必等待太久，就可以看看Silicon Motion的SSD控制器是否能扰乱PCIe 5.0市场，该市场主要使用Phison E26。不幸的是，笔记本电脑用户将不得不等待更长的时间，因为Silicon Motion预计PCIe 5.0固态硬盘要到2024年底才能进入笔记本电脑。
