三星电子将在英伟达的一次活动上进行突破性的展示，展示物理高带宽存储器(HBM)3E 12层(H)，该存储器计划于今年上半年大规模生产。
HBM的主要客户英伟达准备在上半年推出其下一代人工智能(AI)芯片H200和B100，预计此次演示将为三星确保HBM3E的关键供应协议铺平道路。
据业内人士3月5日透露，三星电子将于2月18日至21日在美国圣何塞会议中心参加由英伟达主办的全球最大人工智能大会GTC 2024。该公司计划展示一系列下一代存储器产品，包括Shinebolt HBM3E品牌。
上个月，三星电子宣布成功开发出大容量36GB HBM3E 12层产品，这标志着该产品首次向公众公开。
三星打算在今年上半年开始批量生产HBM3E产品。该产品预计将出现在英伟达的下一代人工智能芯片H200和B100中。三星已经向英伟达发送了样品，并开始了验证过程。
HBM市场竞争日益激烈。市场研究公司报告称，尽管SK海力士和三星电子目前占据了HBM市场90%以上的份额，但美国美光科技正在迅速赶上。
在此次活动中，SK海力士还将有一个展示自己的HBM3和HBM3E存储芯片的展台。美光科技计划推出其24GB HBM3E 8层产品，该产品将用于英伟达的H200芯片。
