三星半导体公布了各种路线图，其中揭示了细节。2025年，三星计划推出UFS 4.0 4车道CS。该存储器结合了两个UFS控制器，以提高顺序读取速度。
与目前的UFS 4.0存储的4GB/s相比，UFS 4.0 4通道CS似乎能够达到8GB/s的速度。所以，它的速度大约是原来的两倍。三星强调，这将有助于加载时间和设备上的人工智能应用程序。
不过，我们不确定这款内存是否能为Galaxy S25做好准备。它预计将在2025年的某个时候到达，2024年生产。Galaxy S25系列预计将于2025年初推出，很可能在1月推出，所以……还有待观察。
不过，根据三星的路线图，我们将不得不等到2027年才能推出UFS 5.0。UFS 5.0将能够提供10GB/s的速度。因此，如果一切按计划进行，Galaxy S27有望首次亮相这种存储设备，而三星坚持其命名方案。
考虑到UFS 4.0 4车道CS将比UFS 4.0有很大的提升，我们确实预计许多原始设备制造商将从明年开始使用它。当涉及到旗舰智能手机时，许多公司选择最快的RAM和存储。考虑到目前旗舰智能手机的价格标签，这是意料之中的事。
三星半导体公布了各种路线图，其中揭示了细节。2025年，三星计划推出UFS 4 0 4车道CS。该存储器结合了两个UFS控制器，以提高顺序读取速度
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