三星电子实现“PB”存储目标的计划似乎不太现实，但该公司现在正在考虑使用新的“铁电”材料，通过超过 1000 层 NAND 技术来实现这一目标。
最近，我们谈到了三星对 NAND 市场未来的计划，包括发布第 9 代 V-NAND 闪存，该闪存将具有多达 290 层的堆叠，树立了新的市场基准。三星还宣布了 430 层堆叠 NAND 产品(第 10 代 V-NAND)，预计将于明年推出。有了这样的设备，三星电子计划尽快跨越 1000 TB 的里程碑，但还有另一个令人兴奋的事情。
以下是如何根据会议的初步细节总结将要介绍的工作：
深入分析Hafnia铁电体作为低压和QLC 3D VNAND超1K层实验演示和建模的关键推动者
在这项工作中，我们通过实验证明了金属带工程栅极中间层(BE-G.IL)-FE沟道中间层(Ch.IL)-Si(MIFIS)FeFET中电荷捕获和铁电(FE)开关效应的相互作用显著提高了性能。具有BE-G.IL(BE-MIFIS)的MIFIS有助于最大限度地实现双重效应的“正反馈”(Posi.FB.)，导致低操作电压(VPGM/VERS:+17/-15 V)、宽存储窗口(MW:10.5 V)和在9 V的偏置电压下可忽略的干扰。
此外，我们提出的模型验证了BE-MIFIS-FeFET的性能增强归因于增强的posi FB。这项工作证明，hafnia FE可以作为扩展3D VNAND技术开发的关键推动者，该技术目前正接近停滞状态。
需要注意的是，三星并没有直接参与研发过程，但据说相关人士与这家韩国巨头有直接关系。虽然还不确定Hafnia铁电体是否会导致PB级存储设备的诞生，但它们可能会发挥主导作用，最终将我们带到这一里程碑。
