SK海力士计划最早于2026年完成名为“HBM4E”的第7代高带宽存储器(HBM)的开发。在生成型人工智能的发展过程中，高性能存储器越来越被视为人工智能计算的关键，其世代转换的步伐正在加快。
5月13日，SK海力士HBM高级技术团队负责人金光裕在参加在首尔光津区Walkerhill酒店举行的国际记忆研讨会(IMW 2024)时宣布了这一计划。
HBM最早由SK海力士于2013年开发。从那时起，该公司率先向美国的英伟达独家供应第四代产品HBM3，引领了市场，并于3月开始交付业界首款第五代HBM3E 8堆栈产品。
然而，随着后来加入的三星电子首次公布了12堆栈HBM3E的计划，存储器供应商之间争夺主要客户英伟达的竞争正在加剧。
SK海力士本月还将提供HBM3E 12电池组的样品，并准备在今年第三季度前大规模生产。该公司此前宣布计划明年开始大规模生产第六代HBM4，比原定的2026年提前了一年。因此，第7代HBM4E的开发完成时间似乎也提前了一年。
团队负责人Kim解释道：“自第一代HBM开发以来，每两年就有一代人在进步，但从HBM3E开始，每年都会发生一次换代。”如果明年推出HBM4(第6代)，HBM4E(第7代)预计将在2026年完成技术开发并开始生产。
具体性能细节尚待确认。然而，Kim表示，与前几代相比，HBM4将提供1.4倍的带宽、1.3倍的密度和30%的功率效率提高。
