三星电子将在年内推出用于高带宽存储器（HBM）的三维（3D）封装服务，该技术预计将于2025年推出，用于人工智能芯片的第六代型号HBM4。
6 月 20 日，这家全球最大的存储芯片制造商在加利福尼亚州圣何塞举行的 2024 年三星晶圆代工论坛上公布了其最新的芯片封装技术和服务路线图。
这是三星首次在公开活动中发布 HBM 芯片的 3D 封装技术。目前，HBM芯片主要采用2.5D技术封装。
大约两周前，英伟达联合创始人兼首席执行官黄仁勋在一次演讲中公布了其人工智能平台Rubin的新一代架构。
HBM4 可能会嵌入到 Nvidia 的新 Rubin GPU 模型中，预计将于 2026 年上市。
垂直连接
三星最新的封装技术将 HBM 芯片垂直堆叠在 GPU 顶部，以进一步加速数据学习和推理处理，该技术被视为快速增长的 AI 芯片市场中的游戏规则改变者。
目前，HBM 芯片在 2.5D 封装技术下与硅中介层上的 GPU 水平连接。
相比之下，3D封装不需要硅中介层，也不需要位于芯片之间的薄基板，以允许它们进行通信和协同工作。
三星将其新封装技术称为 SAINT-D，是三星高级互连技术-D 的缩写。
交钥匙服务
据了解，这家韩国公司以交钥匙方式提供 3D HBM 包装。
为此，其先进封装团队将垂直互连其内存业务部门生产的 HBM 芯片与其代工部门为无晶圆厂公司组装的 GPU。
“3D封装降低了功耗和处理延迟，提高了半导体芯片的电信号质量，”三星电子的一位官员说。
2027 年，三星计划推出一体化异构集成技术，将大幅提高半导体数据传输速度的光学元件整合到一个统一的 AI 加速器包中。
根据TrendForce集邦咨询的数据，随着对低功耗、高性能芯片的需求不断增长，HBM预计将从2024年的21%到2025年占DRAM市场的30%。
MGI Research 预测，到 2032 年，包括 3D 封装在内的先进封装市场将增长到 800 亿美元，而 2023 年为 345 亿美元。
