铠侠正在提供2太比特NAND芯片的样品，这是目前容量最高的NAND芯片。
它们采用QLC（4位/单元）设计，并使用铠侠的BiCS 8 218层闪存节点架构。与上一代 BiCS 6 相比，具有 162 层，新芯片在横向和垂直方向上都缩小了单元尺寸。中间的 BiCS 7 一代被放弃，转而支持 BiCS 8。铠侠表示，一堆 16 x 2 Tb 的芯片将在单个封装中提供 4 TB 的容量。这种封装的尺寸为 11.5 x 13.5 mm，高度为 1.5 mm。
铠侠首席技术官Hideshi Miyajima在一份声明中表示：“凭借其行业领先的高比特密度、高速数据传输和卓越的能效，2 Tb QLC产品将为快速兴起的AI应用和需要节省电力和空间的大型存储应用提供新的价值。
Pure Storage 首席执行官 Charles Giancarlo 补充道：“我们拥有长期使用的闪存 2 TB QLC 闪存产品，可提高我们全闪存存储解决方案的性能和效率。Pure 的统一全闪存数据存储平台能够满足人工智能的苛刻需求以及备份存储的高昂成本。在铠侠技术的支持下，Pure Storage将继续提供无与伦比的性能、能效和可靠性，为我们的客户提供卓越的价值。
Pure Storage 正在推出其专有的 SSD 75 TB 直接闪存模块，并即将推出 150 TB 版本。Giancarlo表示，Pure Storage将使用铠侠的2 Tb QLC芯片。
目前，大多数商用现成的固态硬盘最高容量为61.44 TB，Solidigm和三星在QLC设计中出货此类产品。三星暗示可能会推出>100TB版本。
铠侠的芯片在CBA（CMOS键合到阵列）架构中将其单独制造的逻辑组件直接绑定到NAND单元阵列。该芯片的接口速度为 3.6 Gbps。
我们被告知，2 Tb 芯片的位密度比铠侠目前的第五代（BiCS 5 112 层）QLC 器件高出约 2.3 倍，写入功率效率约为 70%，后者是铠侠产品系列中容量最高的。
我们认为，铠侠及其NAND代工合资伙伴西部数据都将使用2 TB QLC芯片来提供比现有产品具有更好价格/容量的新SSD，以及超过100TB的新型更高容量的SSD。
铠侠还在其产品组合中增加了一款性能优化的 1 Tb QLC 存储设备。与 2 Tb QLC 芯片相比，速度更快的 1Tb QLC 芯片的顺序写入性能提高了约 30%，读取延迟提高了近 15%。1 TB QLC 芯片将部署在高性能应用中，包括客户端 SSD 和移动设备。
竞争对手的3D NAND层也超过了200层，美光为232层，三星为236层，SK海力士为238层，长江存储为232层。SK海力士的子公司Solidigm为192层，没有说明接下来的层数。
