从东芝分拆出来的日本固态硬盘制造商铠侠已开始向选定的合作伙伴和客户发送 2Tb 大小的 QLC 设备。这种类型的存储使用第八代BiCS FLASH 3D技术，适用于需要高容量和高效内存解决方案的服务器和其他数字存储系统。
NAND 闪存中的四级单元 （QLC） 技术每个单元存储 4 位数据，与旧的单层单元 （SLC）、多层单元 （MLC） 和三层单元 （TLC） 技术相比，提高了存储密度。与其他写入技术相比，缺点包括写入速度可能较慢、延迟较高和耐久性（写入/擦除周期数）。
然而，铠侠的BiCS FLASH技术改进了存储器的垂直和横向芯片，并采用了CMOS直接绑定到阵列（CBA）技术，以实现更高的密度和高达3.6 Gbps的接口速度。该器件的比特密度是其前代产品的2.3倍，铠侠表示，这意味着由于采用了16个芯片的堆叠架构，写入效率提高了70%，最大容量为4Tb。
一家已经对这一发展感到兴奋的公司是 Pure Storage。该存储阵列提供商计划将铠侠的 2Tb QLC 技术集成到其 DirectFlash 模块 （DFM） 存储系统中。与传统固态硬盘相比，它们已经以其更高的性能而闻名。 Pure Storage 计划到 2025 年发布 150 Tb 的 DFM，并在次年发布 300 Tb 的 DFM。铠侠的技术应该在实现这些里程碑方面发挥重要作用。
