JEDEC固态技术协会公布DDR5 MRDIMM与LPDDR6 CAMM两款内存模块设计标准，前者将可兼容现有RDIMM (Registered DIMM)内存模组定义，藉由多列内存颗粒与多讯号单一传输通道设计，藉此提高数据传输带宽与容量，而后者则是以LPDDR6内存规格为基础，采用CAMM内存规格设计， 并且让数据传输带宽可达14.4GT/s。
两者均可提升数据运算传输速率，藉此对应更高运算效能表现，同时也预期能借此推动更高人工智能运算效能。
依照说明，DDR5 MRDIMM内存模块将延续现有RDIMM对应针脚定义、内存传输带宽、序列存在检测(SPD)、电源管理芯片(PMIC)等设计，并且以多列内存颗粒与多路设计，让存储器模组整体传输带宽增加，让内存峰值传输带宽可达现有DDR5内存的两倍，约可对应12.8Gbps数据传输速率，但内存模组高度也会相对较高。
至于LPDDR6 CAMM内存模块，则是以LPDDR6内存规格为基础，并且结合CAMM内存规格设计，预期可用于轻薄笔电等装置，未来也预期可用在台式主板，或是数据中心设备。
在此之前，美光已经与JEDEC固态技术协会共同制订LPCAMM2存储器模组，藉此让此设计成为业界标准，而JEDEC固态技术协会此次公布的LPDDR6 CAMM内存模块设计，预期也会成为日后统一采用标准。
