本周，大大小小的内存制造商在更名后的“内存存储的未来”（Future of Memory Storage）展会之前推出了NAND闪存、MRAM和DDR创新产品。
随着人工智能 （AI）、高性能计算和功能越来越强大的移动设备的发展，对各种内存的要求也越来越高。此次峰会通过采用完整的内存和存储生态系统来应对这些压力，美光、Avalanche Technology 和 SK 海力士在展会前推出的三款新产品就是明证。
美光：首次生产第九代 NAND 闪存
美光宣布出货 2650 NVMe SSD，该 SSD 采用其最新的第九代 （G9） NAND 闪存技术构建。新型三层单元（TLC） NAND是业界首款G9 3D NAND芯片。这些芯片采用 11.5 mm x 13.5 mm 封装，与前几代产品相比，密度提高了 73%，空间效率提高了 28%。它以 3.6 GB/s 的业界最高传输速度运行。这些改进使新部件成为数据中心、汽车和嵌入式应用以及固定和移动客户端设备的有效存储解决方案。
2650 NVMe SSD 的容量为 256 GB、512 GB 和 1 TB，采用 M2 外形尺寸（30 毫米、42 毫米和 80 毫米）。这些驱动器提供真实世界的 PCIe 饱和性能（这意味着驱动器可以跟上 PCIe 速度能力），顺序读取速度高达 7,000 MB/s，顺序写入速度高达 6,000 MB/s。
Avalanche：用于太空和防御的 MRAM 系列
Avalanche T现在正在生产航天级E增强型分立式MRAM产品系列。新的非易失性存储器 （NVM） 系列通过增强的认证和筛选流程实现了这一评级。随着越来越多的轨道火箭发射，对航天级电子元件的需求急剧增长。作为回应，Avalanche 推出了一系列新的内存芯片，这些芯片基于现有的非易失性内存 NVM 磁阻随机存取内存 （MRAM） 技术，现已符合恶劣环境的要求。
由于与标准存储器中的充电器件相比，磁性材料具有固有的辐射优势，因此MRAM非常适合高辐射环境。与MRAM磁性电池相比，充电器件更容易受到基于粒子的扰动事件的影响。Avalanche 将该内存设计为在恶劣环境中比传统闪存和 SRAM 更强大的替代品。AS30XGB3空间 E 级并行持久 SRAM 存储器提供每个芯片 1 Gb 至 8 Gb 的选项，并且与现有的 MRAM 产品线尺寸兼容。
SK海力士：“业界最佳”GDDR7
SK海力士声称已经生产了性能最高的GDDR7内存，据报道，与竞争产品相比，其运行速度提高了60%，功率效率提高了50%。图形双倍数据速率 7 （GDDR7） 同步动态随机存取内存是专为高级图形卡和高性能计算而设计的高速内存的最新化身。虽然 JEDEC 于 2024 年 3 月 5 日发布了该标准，但作为 GDDR6（X） 的继任者，它已经酝酿了两年。
GDDR7 使用三级脉冲幅度调制 （PAM-3） 编码，每个周期处理 1.58 位。虽然这似乎比 PAM-4 在 GDDR6 和 6X 中每个周期两位有点倒退，但 PAM-3 制造不那么复杂且更便宜，并且其他工艺改进仍然使 GDDR7 明显快于 GDDR6X。SK海力士的GDDR7在大多数用例中以32 Gbs的速度运行，在某些情况下允许高达40 Gbs，比最佳GDDR6X性能快33%。
除了速度的提高外，SK海力士还改善了封装的热性能，这可以说同样重要，甚至更重要。新芯片在环氧树脂模塑料（EMC）中有六个散热基板层，比之前的四个有所增加。通过这种变化，热阻下降了 74%，而封装尺寸却没有变化。GDDR7有望应用于性能要求更高的产品，如高端3D图形、超级计算机、高性能计算、AI、自动驾驶系统等。
美光的 NAND Flash、Avalanche 的 MRAM 和 SK 海力士的 GDDR7 产品只是在内存存储的未来展之前宣布的新的内存和存储产品中的一小部分。随着展会于 2024 年 8 月 6 日至 8 日在加利福尼亚州圣克拉拉的圣克拉拉会议中心举行，本周肯定会有更多发布。
