三星电子宣布，其首款1TB四层单元（QLC）第九代V-NAND已正式开始量产。这一突破标志着三星在存储技术领域的新里程碑，此前1TB TLC产品已于今年4月开始量产。三星此次推出的第九代V-NAND系列在技术上取得了显著的进展，以下是该技术的一些关键突破和改进。
首先，第九代QLC V-NAND采用了先进的通道孔蚀刻技术（Channel Hole Etching）。这一技术基于双堆栈架构，突破了当前业内单元层数的极限，使得存储密度达到了前所未有的水平。通过在TLC第九代V-NAND中积累的技术经验，三星成功优化了存储单元的面积以及外围电路，从而使位密度相比上一代QLC V-NAND提升了约86%。
其次，三星在新一代QLC V-NAND中引入了预设模具（Designed Mold）技术。该技术能够精准调整控制存储单元的字线（WL）间距，确保同一单元层内以及单元层之间的存储单元特性保持一致。随着V-NAND层数的增加，存储单元的特性变得尤为重要。采用预设模具技术后，新一代QLC V-NAND的数据保存性能相较于前一版本提升了约20%，进一步增强了存储的可靠性。
预测程序（Predictive Program）技术也是第九代V-NAND的一大亮点。该技术通过预测并控制存储单元的状态变化，尽可能减少不必要的操作。这一改进使得第九代QLC V-NAND的写入性能得以翻倍，I/O速度提升了60%，显著提高了数据处理效率。
此外，三星还对低功耗设计（Low-Power Design）进行了优化。新一代QLC V-NAND的数据读取功耗分别降低了约30%和50%。这一技术通过减少驱动NAND存储单元所需的电压，及仅感测必要的位线（BL），从而有效减少了整体功耗。
三星表示，第九代QLC V-NAND将会被广泛应用于多个领域。从品牌消费类产品起步，逐步扩展到移动通用闪存（UFS）、个人电脑及服务器SSD，最终为包括云服务提供商在内的客户提供服务。这一技术的扩展将极大推动存储技术的普及和应用，满足未来数据存储日益增长的需求。
