三星电子计划将其高带宽存储(HBM)芯片产量增加一倍以上，以在人工智能芯片领域占据领先地位。
负责三星美国半导体业务的执行副总裁 Han Jin-man 周四表示，该公司对包括 HBM 系列在内的大容量存储芯片寄予厚望，希望成为快速增长的人工智能芯片领域的领导者。
“今年我们将把 HBM 芯片产量比去年提高 2.5 倍。这一步伐将在明年继续增长两倍，”他在 2024 年消费电子展 (CES) 的媒体会议上对记者表示。
“存储芯片将在人工智能时代发挥主导作用。三星不会受到行业起伏的影响。我们将稳步扩大对增长领域的投资。”
三星一直在努力增强其在 HBM 领域的影响力，目前该公司在该领域落后于同城竞争对手 SK 海力士公司。
HBM 是一种高容量、高性能的半导体芯片，其需求正在飙升，因为它被用于为 ChatGPT、高性能数据中心和机器学习平台等生成型人工智能设备提供动力。
HBM 系列 DRAM 是近来的热门话题，因为电子制造商纷纷推出配备设备端 AI 技术的产品，该技术可在智能手机和其他智能设备上实现定制和个性化的 AI 功能。
HBM3 是目前最先进的此类芯片之一，据称其容量比最新 DRAM 产品 GDDR6 高 12 倍，带宽高 13 倍。
根据市场追踪机构 TrendForce 的数据，全球 HBM 市场预计到 2027 年将从今年的 39 亿美元增长到 89 亿美元。
去年 10 月，三星表示计划在 2025 年推出下一代 HBM4 芯片，作为其在 AI 芯片领域取得领先地位的一部分。
内存代工交钥匙服务
三星表示，其目标是通过向客户提供交钥匙服务来提高其 HBM 竞争力，该服务将三星代工制造的图形处理单元(GPU)和 HBM 芯片封装到单个芯片组中。
Han 在 CES 2024 上表示：“我们正在积极考虑在代工流程中而不是在内存流程中生产下一代 HBM 芯片，以最大限度地提高我们在内存和代工方面的业务效率。”
代工龙头台积电(TSMC)和英特尔公司等领先芯片制造商正在激烈竞争先进封装，以提高芯片性能，而无需通过超精细加工缩小纳米尺寸，这在技术上具有挑战性，并且需要更多时间。
11月，业内消息人士称，三星计划在2024年推出先进的三维(3D)芯片封装技术， 以更好地与竞争对手竞争。
三星在 CES 2024 上推出全新 AI 存储芯片
在今年的电子展上，三星展示了几款目前正在开发或已向客户供应的最新存储芯片。
为了满足生成式AI芯片用户不断增长的需求，该公司展出了12纳米32GB双倍数据速率5(DDR5)DRAM芯片;Shinebolt，其 HBM3E 芯片;以及 CMM-D，一种计算机高速链路 (CXL) DRAM 模块。
对于设备上的人工智能功能，三星展示了 LPDDR5X-PIM，这是一种先进的 DRAM 芯片，可以像中央处理器 (CPU) 一样帮助处理数据。
该公司还在CES上展示了其2.5D封装技术 H-Cube和I-Cube系列。
“从2025年开始，芯片需求将超过供应。如果不出意外的话，客户订单将会大幅增加。”Han说。
