三星正在通过一种巧妙的方法推进仅选择器内存 (SOM) 技术的开发：他们正在使用先进的计算建模来专注于下一代内存的最佳硫属化物材料。他们的研究团队研究了 4.000 多种不同的材料组合，并将其缩小到 18 种似乎很有希望进行实际测试的材料。
SOM 技术可能是内存设计的巨大飞跃，结合了两全其美的优势：它拥有闪存的非易失性优势，同时保持了 DRAM 的速度。它使用硫属化物材料作为存储单元和选择器，消除了在更常见的相变或电阻 RAM 设置中发现的单独晶体管的需求。
该团队使用复杂的仿真来检查粘合性能、材料在高温下的稳定性以及它们的电气行为。他们关注的是阈值电压漂移的程度以及内存窗口的稳定性等问题，这基本上意味着它保持彼此不同的开启和关闭状态的程度。
三星将于今年 12 月在旧金山举行的国际电子设备会议上展示这些发现。他们认为，这种计算方法可能使他们获得了传统实验室测试可能遗漏的高性能材料。
这一切都建立在三星在 IEDM 2023 上的早期工作之上，他们在 IEDM 2023 上展示了基于 64Gbit OTS 的 SOM，带有微型 16nm 存储单元。
三星正在通过一种巧妙的方法推进仅选择器内存 (SOM) 技术的开发：他们正在使用先进的计算建模来专注于下一代内存的最佳硫属化物材料
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