日本瑞萨电子昨日宣布，率先推出支持第二代 DDR5 MRDIMM(12800MT/s)的完整内存接口芯片组解决方案，包括全新设计的 MRCD、MDB 和 PMIC 芯片，以及配套的温度传感器和 SPD 集线器。
性能提升 35%，满足 AI 和 HPC 应用需求
瑞萨指出，随着 AI、HPC 以及其他数据中心应用对内存带宽需求的不断增加，第二代 DDR5 MRDIMM 的出现势在必行。相比当前主流的 8800MT/s 初代产品，下一代 DDR5 MRDIMM 的内存带宽提升高达 35%。
新一代关键组件亮相，2025 上半年量产
此次瑞萨推出了三款针对第二代 DDR5 MRDIMM 的核心芯片，分别为多路复用寄存时钟驱动器(MRCD)RRG50120、多路复用数据缓冲器(MDB)RRG51020.以及电源管理芯片(PMIC)RRG53220.这些芯片目前已开始样品试产，计划于 2025 年上半年正式投产。
其中，第二代 MRCD 芯片 RRG50120 相较前代产品功耗降低 45%;而新款 PMIC 芯片 RRG53220 针对高电流、低电压操作进行了优化，不仅能提供出色的电气过压保护，还具备更高的能效表现。
瑞萨高管 Davin Lee 强调：“AI 和 HPC 应用对更高性能系统的需求持续增长。瑞萨积极与行业领先企业合作，推动下一代技术及规范的开发，并凭借专业技术和生产能力满足市场需求。这次发布的第二代 DDR5 MRDIMM 芯片组解决方案，充分体现了瑞萨在这一领域的领先地位。”
