三星电子已完成其下一代高带宽存储器 (HBM4) 的逻辑芯片设计，并启动了 4nm 试生产，标志着向 2025 年下半年量产迈出了一大步。这个更新的时间表比最初的 2026 年计划提前了大约六个月，可能使三星能够获得 Nvidia 未来 GPU 平台的关键订单。
坊间传闻，三星的存储部门已经完成了逻辑芯片的设计，而其代工部门正在努力进行 4nm 的试运行。HBM4 的生产是在专门的 D1c 工厂进行的，该工厂使用先进的 10nm DRAM 工艺。三星甚至跳过了通常的 D1b 开发阶段来加快速度。
在 ISSCC 2024 上分享的技术细节表明，HBM4 将提供巨大的性能提升，数据传输速率高达 2 TB/s，比 HBM3E 快约 66%。它还将支持以 6.4 GT/s 运行速度的 2048 位接口和高达 48 GB 的提升容量，比当前一代产品大 33%。
与此同时，据报道，三星在 HBM 领域的最大竞争对手 SK 海力士也在加快其 HBM4 的开发，以实现相同的 2025 年目标。韩华投资与证券的分析师预计SK海力士将保持其市场份额的领先优势，并可能成为第一批向客户交付HBM4样品的公司。
除了 Nvidia，三星正在为 Microsoft 和 Meta 定制 HBM4 产品。这种内存技术在 Nvidia 即将推出的“Rubin”GPU 平台中发挥着关键作用，该平台计划于 2026 年推出，该平台将配备八个 HBM4 芯片并依赖台积电的 3nm 工艺。
三星目前的 HBM 产品阵容已经乘势而上。2024 年第三季度的销售额环比飙升超过 70%。HBM3E 产品，包括 8 层和 12 层版本，已进入量产，预计到 2024 年底将占三星 HBM 总销量的一半左右。
