三星电子在其半导体研究所成功完成了其开创性的 400 层 NAND 技术的开发。该公司已经开始将这项先进技术转移到其平泽园区 1 号工厂的量产线上，这一过程已于上个月开始。这一重要的里程碑使三星处于 NAND 闪存技术的前沿，因为它准备与 SK 海力士等行业竞争对手竞争，SK 海力士最近宣布量产 321 层 NAND。
三星电子计划在明年 2 月在美国举行的 2025 年国际固态电路会议 (ISSCC) 上详细发布其 1Tb 容量 400 层三层单元 (TLC) NAND。这种先进的 NAND 预计将于明年下半年开始大规模生产，尽管一些行业专家预测，如果加快这一过程，可能会在第二季度末开始生产。
除了 400 层 NAND，三星电子还计划明年增加其先进产品线的产量。该公司计划在平泽园区安装新的第 9 代(286 层)生产设施，月产能为 30000 至 40000 片晶圆。此外，在其位于西安的工厂，三星将继续将 128 层 (V6) NAND 生产线转换为 236 层 (V8) 产品工艺。
400 层 NAND 的发展代表了 NAND 闪存技术的重大飞跃，该技术已从传统的平面 (2D) NAND 发展到三星于 2013 年推出的 3D NAND。这项技术涉及垂直堆叠存储单元以提高存储密度和效率。三星为 400 层 NAND 引入了“三层堆栈”技术，该技术涉及将存储单元堆叠成三层，标志着该领域的显着进步。
三星电子目前在全球 NAND 闪存市场占据 36.9% 的主导市场份额。SK 海力士在 2023 年全球率先量产 238 层产品的公司，最近宣布了量产 321 层 NAND 的计划，SK 海力士在激烈的竞争中努力保持其领导地位。
NAND 闪存市场受多种因素的影响，包括消费者需求、定价趋势以及人工智能 (AI) 和数据中心等数据密集型应用的兴起。由于全球人工智能的繁荣，用于数据中心的 NAND 的销量正在上升。然而，11 月 128Gb 多层单元 (MLC) 产品的固定交易价格下降了 29.8%，平均价格为 2.16 美元。TrendForce 集邦咨询分析，虽然今年第四季 NAND 价格预计会下跌 3-8%，但企业级固态硬盘 (SSD) 预计会上涨高达 5%。
随着三星电子准备大规模生产其400层NAND，该公司也专注于优化晶圆产量，目前NAND研发阶段的产量为10-20%。将这项技术成功转移到生产线上对于实现更高的产量和满足市场需求至关重要。
