源自日本广岛大学的初创企业MATERIAL GATE致力于开发比以往更省电、密度更高的内存材料。 据悉，通过使用单个分子就能携带1比特信息的新材料，不仅可使容量增加到1000倍，还能使电脑的耗电量降低9成。 该公司认为，这种材料有助于带来技术革新，既能减少对环境的不良影响又能处理庞大信息。
该公司将使广岛大学研究所先进理工系科学研究专业教授西原祯文等人的研究成果实现商业化。 西原教授等人的研究团队发现，一种名为“Preyssler型多金属氧酸盐”的1纳米分子能够作为单分子电介质，1个分子就能携带0或1的1比特信息。
该分子由钨、氧、磷原子构成，呈箱型结构，有两处位置可供金属离子停留。 据悉可以根据离子停留的位置来表达0或1，有望成为断电后也不会丢失存储数据的非易失性内存的材料。 此前业界一直认为只有晶体才具备这种性质，其微细化程度有限。
内存分为两种，一种是没有电源也能继续保持存储数据不丢失的非易失性内存，比如用作电脑硬盘的磁性内存，另一种是DRAM、SRAM等断电后会丢失信息的易失性内存。
非易失性内存虽比易失性内存省电，但存在运行慢、可擦写次数有限等缺点。 如果使用此次的分子，不仅可以解决这些问题，而且与以往的非易失性磁性内存相比，在同样体积下有望保存1000倍左右的信息。 据悉，如果将易失性内存换成非易失性，可使电脑的耗电量减少9成。
为了实现商业化，社长中野佑纪和西原教授于6月共同以300万日元注册资金成立了MATERIAL GATE。 计划首先在2023年度内从商业公司及风险投资公司那里融资1亿日元左右。
MATERIAL GATE已经开始通过试制品确认运行情况，今后将推进内存材料的产品化。 将向半导体相关企业等提供材料和技术，甚至还将负责将其封装成存储器。 首先力争用此次的内存替换用作电脑缓存等的易失性SRAM等。 预计2025财年（截至2026年5月）通过共同研究资金等实现4.2亿日元左右的销售额。 预计到2030年以后实现实用化。
