随着为生成性人工智能提供动力的高带宽存储器（HBM）成为下一代存储器半导体的主要战场，三星电子和美光之间正在酝酿激烈的竞争，以争夺目前由SK海力士垄断的英伟达订单。
11月28日，TrendForce预测，英伟达将在下个月前完成对三星电子HBM3的验证。业内人士认为，目前向英伟达供应HBM3样品的三星电子可能会根据下个月的验证结果获得正式合同。
英伟达的图形处理单元（GPU），尤其是高端H100型号，是高价值的产品，每个售价6000万韩元。这种高盈利能力使英伟达成为存储器半导体行业潜在的游戏规则改变者。SK海力士是HBM市场的领导者，自去年以来一直向英伟达独家供应HBM3，领先于三星电子。此举帮助SK海力士将与DRAM市场领导者三星的市场份额差距缩小了4.4个百分点。SK海力士的DRAM业务此前处于亏损状态，在HBM和DDR5等高价值产品的表现的提振下，今年第三和第四季度实现了盈利。
该行业预计HBM将全面爆发“三国大战”，美光将于明年大规模生产其第五代HBM3E产品。预计这三家公司将在英伟达即将推出的H200和B100 AI半导体所需的HBM3E供应方面展开激烈竞争。
据报道，英伟达计划使其HBM供应商多样化，以实现更高效的供应链管理，SK海力士的单独经营可能会结束，迎来一个无限竞争的时代。根据TrendForce的数据，从7月份的美光、8月份的SK海力士和10月份的三星电子开始，这三家公司都提供了HBM3E样品。考虑到英伟达通常需要大约六个月的时间来验证HBM样本，供应量的轮廓预计将在明年出现。
三星证券分析师黄敏星表示：SK海力士最近将DRAM市场份额与行业领导者三星电子的差距缩小到4.4个百分点。
“追赶者”三星电子正计划用其“超级差距”技术扭转局面。去年10月在硅谷举行的“存储器技术日”上，三星电子推出了其“Shinebolt”HBM3E DRAM，并宣布计划作为集成设备制造商（IDM）通过交钥匙（端到端）生产扩大其市场份额。此外，三星电子存储器事业部高级副总裁兼DRAM开发办公室负责人Sang-jun Hwang上个月透露，第六代HBM HBM4正在开发中，供应目标是2025年。
