ComputerBase报道称，三星正准备宣布其下一代QLC NAND V9闪存解决方案，该解决方案的密度达到28.5Gb/s。与所有竞争对手(QLC和TLC)相比，三星的新型QLC闪存密度高得多，成为迄今为止密度最高的闪存解决方案。
三星新的QLC 3D NAND V9解决方案的密度为28.5Gb/s，比YMTC的232L QLC NAND闪存的密度高出近50%，后者的密度为20.63mm^2，曾是业界密度最高的闪存。YMTC目前领先于美光的232层TLC，后者的传输速率为19.5 Gb/s。
V9也不会慢，因为据报道，三星的V9 QLC的最大传输速率为3.2 Gbps。这远远快于其即将推出的仅提供2.4 Gbps的基于QLC的产品。速度在过去一直是QLC的一个根本问题，三星新推出的V9 NAND闪存表明，它已经在解决这个问题上取得了进展。在3.2 Gbps(每个芯片)的速度下，V9应该足以在PCIe SSD中使用。当然，它在实践中的表现还有待观察。
目前尚不清楚的是，在QLC模式下直接写入时，性能将如何扩展。目前所有QLC SSD都使用pSLC缓存，该缓存高达总可用容量的25%，性能明显更高。根据NAND的不同，一旦缓存已满，写入速度通常会降至100～300 MB/s。
如果性能足够好，三星新推出的基于QLC的闪存可能会在今年晚些时候推出，从根本上改变消费者固态硬盘的格局。QLC仍然可能无法为高性能SSD提供服务，例如那些支持PCIe 5.0传输速度的SSD，但它应该非常适合较低层的PCIe驱动器。在存储密度方面领先近50%的情况下，我们可以期待任何采用新型V9 QLC闪存的三星新驱动器都能提供有竞争力的价值，并有可能以业界最好的每GB价格为特色。
根据市场需求，三星甚至可能提供容量超过8TB的V9 QLC M.2驱动器，这是目前任何基于消费者的M.2驱动器中容量最高的。三星甚至有可能推出单面8TB硬盘。
根据三星2022年的一份报告，三星基本上正在全力开发QLC。随着TLC闪存架构在原始存储容量方面开始达到极限(就像之前的SLC和MLC一样)，QLC代表了希望继续推动主流消费级SSD容量包络的SSD制造商的未来。它甚至可以在未来进入企业级固态硬盘。V9只是三星QLC路线图的下一步。未来几代应该比V9更快，最终可能在原始性能上与当今即将推出的TLC闪存架构直接竞争。
