SK海力士宣布计划今年发布第五代高带宽存储器(HBM)，名为HBM3E，并计划在2026年前推出HBM4。
1月31日，SK海力士副总裁金全焕在首尔三成区COEX举行的SEMICON Korea 2024主题演讲中透露了这些计划。
金副会长表示，“随着人工智能计算时代的到来，生成人工智能正在迅速发展，”他补充道，“生成人工智能市场预计将以每年35%的速度增长。”他进一步评论说，今年半导体行业将面临激烈的生存竞争，以满足日益增长的内存需求和客户需求。
SK海力士是对人工智能半导体至关重要的HBM市场的领先公司，目前正在大规模生产最高规格的HBM3，并计划在今年上半年推出HBM3E。该公司设定了到2026年大规模生产HBM4的目标。金预计，到2025年，HBM市场将增长40%。
金还详细介绍了DRAM和NAND闪存的具体发展趋势。他提到，“我们目前正在大规模生产1b级产品，并开发1c。然而，我们预计10纳米以下的技术将受到严重限制。”由于这些挑战，公司正积极寻求新材料和结构的开发。目前的1b电路线宽处于12纳米水平，是行业的前沿。1c代表下一代。
三星电子还表示，决心通过提高HBM业务的竞争力，重新获得存储器巨头的地位。
1月31日，三星电子存储器事业部副总裁金在俊在第四季度财报电话会议上表示，“下一代HBM3E项目正在按计划进行，目前正在向客户提供8层样品产品。预计今年上半年将准备好大规模生产。HBM4的开发目标是2025年取样，2026年大规模生产。”
他补充说，“随着HBM3和HBM3E等先进产品的比例增加，它们在销售额中的份额已超过50%，预计到今年下半年将达到90%。”三星电子特别计划加强为客户量身定制的HBM定制业务。
金副会长说：“在对定制HBM的需求随着生成人工智能的增长而增加的情况下，我们正在开发针对个人客户优化的定制HBM产品，这些产品不仅符合标准规范，还包括逻辑芯片。我们目前正在与主要客户讨论详细的规格。在定制HBM市场，与系统半导体的合作至关重要，我们的目标是通过与铸造厂、系统LSI和先进封装团队建立协同效应，在行业中发挥竞争力。”
