据外媒报道，三星电子将采用SK海力士的高带宽存储器(HBM)工艺技术，以赶上其在HBM市场的竞争对手。
路透社3月13日援引多方消息称，三星电子已购买相关制造设备，引进SK海力士的“MR-MUF”工艺。路透社还提到，三星目前正在与日本长濑等公司就MUF材料的供应进行谈判。
众所周知，SK海力士开发的MR-MUF制造技术比传统方法更有效。它包括在堆叠的芯片之间插入保护材料并一次性固化，而不是每次堆叠芯片时都剥离薄膜型材料。三星电子一直在采用这种非导电膜(NCF)工艺生产HBM。
路透社援引行业分析师的话报道称，三星第四代HBM3产品的产量(优质产品率)估计约为10-20%，而SK海力士的产量在60-70%之间。然而，三星反驳说，它已经确保了稳定的收益率。
一位消息人士告诉路透社，“三星电子必须采取措施来提高其HBM产量。采用MUF技术对三星的自豪感是一个打击，因为这意味着要遵循SK海力士首次使用的技术。”
三星电子断然否认了路透社的报道，称“没有引入MUF工艺的计划。”三星还将NCF工艺应用于其最近推出的第五代HBM3E 12层产品。
据外媒报道，三星电子将采用SK海力士的高带宽存储器(HBM)工艺技术，以赶上其在HBM市场的竞争对手。路透社3月13日援引多方消息称，三星电子
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