基于NAND的存储设备是一个竞争激烈的行业，自2002年以来，三星一直在该行业保持领先地位，但其竞争对手正在取得进展。
三星宣布计划开始大规模生产其最新的290层第九代垂直(V9)NAND芯片，针对人工智能和云设备以及大型企业服务器。它们利用了三星的双堆叠技术，而不是通常使用的三堆叠方法。
然而，其他公司正在逼近。全球第二大存储芯片制造商、三星的主要竞争对手SK海力士打算在明年初推出321层NAND技术，而中国闪存专家长江存储技术表示，计划在今年晚些时候推出300层芯片。
随着竞争的白热化，三星的目光已经超越了即将推出的 V9，业内人士表示， 430 层第十代 (V10) NAND 芯片预计将于明年推出。与 V9 不同的是，它将使用三星的三重堆栈技术。
随着人工智能时代对高性能和大容量存储设备的需求不断增长，对 NAND 霸主地位的积极推动也随之而来。高密度 NAND 芯片满足了这一需求，同时还增强了 5G 智能手机的功能。《韩国经济日报》称，主要芯片制造商现在“正在进行一场‘胆怯游戏’，竞相开发先进的芯片堆叠技术，以降低成本并提高性能。” 其指出，三星此前曾宣布计划到2030年开发超过1000层的NAND芯片。
