系统内存 RAM 因为无法在断电后保留数据，因此即便速度比 SSD 所用的 NAND Flash 芯片快上好几倍，但不适合做为资料保存的媒介，不过英国 Quinas Technology 成功发明了具备保存数据能力与 1000 万次写入寿命的 ULTRARAM，并获得了启动资金，将用于挑战量产化。
ULTRARAM 同时具备的 RAM 超高带宽以及 NAND Flash 能储存数据特性，采用由砷化铟（InAs）和锑化铝（AlSb）制成的三层式结构，可通过施加电压的不同，在高电阻、高导电两者型态之间切换，达到锁住电子，保留数据的能力，更有着比 RAM 高出 10 倍的传输速度。
同时材料本身具备超低功耗的特性，每个储存单位的电闸功耗是 RAM 的1 / 100，SSD 的1 / 1000，且写入寿命可以上看 1000 万次，比起 NAND Flash 的 1 万次高出一千倍，甚至还能在完全不通电的情况下，保存资料达 1000 年。
ULTRARAM 的特性让其及时适合用于服务器、数据中心等设备中，让内存可以同时充当硬盘使用，不仅提升传输速度，能够保存数据的特性也可以降低设备断电时的档案数据损失。 如果用于 3C 消费型产品，则可以将将 RAM 与 SSD 二合一，减少设备空间的占用。
不过如同各种新式材料，ULTRARAM现在还无法量产，因此Quinas Technology争取到了110万英镑，，用于让ULTRARAM走向量产，倘若真的成功，将对整个电脑硬件带来革命性的变化。
