近日，有报道称，三星电子计划在 2024 年底开始量产一款新型的 CXL 2.0 内存模块，这标志着其在高性能存储领域的又一重要进展。
根据韩媒 ZDNet Korea 的报道，三星电子内存部门的新业务规划团队负责人 Choi Jang Seok 透露，新款内存模块将命名为 256GB CMM-D 2.0，并采用最先进的 1y nm DRAM 技术。这一技术突破不仅提高了内存模块的性能，还大大降低了对 DRAM 颗粒的需求，从而在保持高性能的同时降低了能耗和成本。
CXL 2.0 协议的应用使得这款内存模块能够在各种高性能计算环境中大显身手。除了基础的 CMM-D 产品外，三星电子还计划推出多种类型的 CXL 存储产品，例如配备多个 CMM-D 模块的 CMM-B 内存盒模组以及集成了DRAM 和NAND 闪存颗粒的 CMM-H 混合存储模组。这些产品不仅满足了不同行业对存储容量和速度的需求，还展示了三星电子在存储技术创新中的多样化布局和领先地位。
Choi Jang Seok 还透露了三星电子正在研发的另一类名为 CMM-DC 的产品，这一产品不仅具备出色的存储性能，还融合了强大的计算能力，有望进一步扩展其在高性能计算市场的影响力。
对于未来的展望，Choi Jang Seok 表示：“随着 CXL 3.1 和池化技术的普及，预计到 2028 年左右，CXL 技术市场将迎来全面的爆发期。”池化技术的引入将使多个主机可以共享 CXL 内存资源，进一步提升了系统的灵活性和效率，为各类大规模计算任务带来了全新的解决方案。
