科林研发宣布推出Lam Cryo 3.0低温蚀刻技术，借此加速3D NAND内存在人工智能时代的微缩应用发展，预计在10年内可协助内存业者实现1000层的3D NAND内存问世。
过去以来，3D NAND主要藉由储存单元垂直层堆叠增加容量密度，其中主要藉由蚀刻技术形成储存通道，而蚀刻过程的极小原子级误差可能会产生电效能影响，进而影响生产良率，在Lam Cryo 3.0低温蚀刻技术特殊的高功率局限电浆反应器、制程改善与远低于-0oC的温度特性，搭配科林研发的Vantex介电层系统的可扩展脉冲电浆技术，将使蚀刻深度和轮廓控制程度明显提高，其中可创造蚀刻深度高达10微米的储存通道，并且让顶部到底部关键尺寸误差小于0.1%。
此外，Lam Cryo 3.0低温蚀刻技术应用特性更包含更快的蚀刻速度，并且让整体生产良率提升，另外整体生产耗能也能降低40%，更使碳排放量可减少多达90%，同时仍可让内存业者能更大规模推动3D NAND内存生产效率。
基于人工智能技术应用发展，进而带动闪存效能与容量需求增加，科林研发预期在Lam Cryo 3.0低温蚀刻技术应用之下，将能加速内存业者更快推出多达1000层设计的3D NAND存储器产品。
Lam Cryo 3.0低温蚀刻技术，是科林研发旗下经过生产验证的第三代低温介电层蚀刻技术，利用超低温、高功率局限电浆反应器技术，以及创新表面化学制程方式，借此实现精度更高、轮廓可控性更高的蚀刻操作。
科林研发全球产品事业群资深副总裁Sesha Varadarajan表示，Lam Cryo 3.0低温蚀刻技术将可实现创造1000层3D NAND内存技术基础，具备以埃米级精度建立高深宽比（HAR）特征，蚀刻速率更是传统介电层制程技术的2倍以上。
