韩国半导体制造商SK海力士最近的新闻稿，该公司开发了一系列新的存储产品，并在FMS 2024峰会上展示了这些产品。该开发包括 USF 4.1 通用闪存。
SK海力士展示了两款容量分别为512GB和1TB的UFS 4.1通用闪存。它们都基于 321 层堆叠 V9 1Tb TLC NAND 闪存。该公司不仅展示了公布的1Tb容量和2.4Gbps速率TLC，还首次展示了业界领先的3.2Gbps V9 2Tb QLC和3.6Gbps高速V9H 1Tb TLC颗粒。
遗憾的是，UFS 4.1存储芯片的详细规格尚未正式发布。有传言称，UFS 4.1 存储提供的数据传输速率为 8 吉比特/秒 （GB/s），比 UFS 4.0 存储芯片提供的 4 GB/s 有所改进。
已经发布的最新UFS规范是2022年8月的UFS 4.0。UFS 4.0 规定每个设备的理论接口速度高达 46.4Gbps，而 USF 4.1 有望进一步提高传输速率。
早在今年 5 月，该公司还宣布了 ZUFS 4.0（Zoned UFS）的开发。据该公司称，这是一款NAND闪存芯片，可提高数据管理效率并优化操作系统和存储设备之间的数据传输。该闪存产品的应用包括数码相机和智能手机等各种电子设备。据该公司称。它还提高了设备上 AI 应用程序的性能。
UFS 4.1有望进一步提高智能手机和其他电子设备的存储性能。根据之前的泄漏，我们可以体验到 UFS 4.1 与 Galaxy S25 Ultra 提供的改进。
