斯坦福大学的研究人员正在探索一种新技术，该技术可以升级当今 CPU 和 GPU 中的内部缓存。他们正在研究混合增益单元内存，这是 SRAM 和 DRAM 技术的巧妙结合，旨在解决 SRAM 缓存目前面临的问题。
该项目的负责人、斯坦福大学电气工程教授 Philip Wong 指出了现代 GPU 设计中的一大挑战：“内存墙问题”。此问题涉及将数据从速度较慢的 DRAM 提取到速度较慢但较小的基于 SRAM 的缓存中的麻烦和高能耗成本。这一瓶颈使研究人员正在寻找性能更好的 SRAM 替代品。
SRAM 的另一个令人头疼的问题是它的大小。今天的芯片为 SRAM 占用了大量空间，每个位占用 6 个晶体管(4 个用于存储数据，2 个用于管理访问)。另一方面，DRAM 可以只用一个晶体管和一些额外的组件来存储数据，尽管它有一个烦人的怪癖，即需要不断刷新才能保持数据活力。
这就是混合增益单元内存的用武之地，有望带来一些显著的好处：
增加存储密度：增益单元内存的主要优势是它具有更高的存储容量的潜力，这对于低级缓存至关重要。
性能提升：更大的缓存可缩短从系统 DRAM 到 CPU 或 GPU 的数据传输时间，从而提高整体性能并减少延迟。
能源效率：该技术有望解决与当前缓存架构相关的能耗问题。
研究人员认为，这项技术可能会彻底改变未来的 CPU 和 GPU 设计，将低级缓存容量推向超出当今可能的范围。
此外，混合增益单元内存与 3D 堆叠技术(如 AMD 的 3D V-Cache)配合得很好，为更大的容量提升打开了大门。这种组合可能会显著影响一系列计算任务中的处理器性能。
如果一切如预期般发展，这项研究可能会为计算机体系结构的新时代铺平道路，解决一些长期存在的阻碍现代系统的速度和效率问题。
