全球最大的两家内存芯片制造商三星电子、SK海力士预测，由于对人工智能应用至关重要的高性能芯片的需求不断增长，今年DRAM和高带宽内存(HBM)的价格将保持坚挺。
为了满足需求，他们将超过 20% 的 DRAM 生产线转换为 HBM 生产线。
两家公司在 5 月 9 日至 10 日三星证券主办的投资者关系会议上表示，DRAM 产量将根据需求减少。
在IR活动期间，这两家韩国芯片制造商受到了有关积压订单问题的轰炸。据业内人士透露，与会者特别希望确认 SK 海力士最近关于其 HBM 供应订单的言论。
上周，SK海力士首席执行官Kwak Noh-jung在新闻发布会上表示，在产量方面，其HBM芯片今年已经售罄，2025年也几乎售罄。
一位SK员工告诉机构投资者，其供应HBM每年都有约束力的合同中的筹码。合同规定了供应量、付款方式和期限。
“根据截至今年年底的产能，我们明年计划的所有生产都已经预订完毕，”他说。
八层 HBM3E 占其主要客户 Nvidia 订单的大部分。
“HBM3 价格下跌将被 HBM3E 价格上涨所抵消。因此，我们将能够将利润率维持在当前水平，”他说。
三星电子表示，其 HBM 产品也已售罄。
三星电子 IR 官员表示：“考虑到供需状况，HBM 到 2025 年不会出现供应过剩的情况。”
三星官方表示，该公司在8层HBM3E芯片上缩小了与SK海力士的差距，同时在12层HBM3E市场上处于领先地位。
三星计划最早在第二季度开始生产 12 层 HBM3E 芯片。
HBM3E是第五代高性能、大容量芯片，或者说是HBM3芯片的扩展版本。关于HBM4，三星将于明年开发第六代HBM，并于2026年量产。
从HBM4开始，三星将采用混合键合，直接用铜连接DRAM的顶部和底部。
两家公司还对传统 DRAM 和固态硬盘(一种计算机存储设备)的价格前景表示乐观。
“我认为今年 DRAM 价格不会下跌，”该三星官员表示。“SSD需求的增加是长期趋势，而不是短期趋势。”
